< Terug naar vorige pagina

Project

Interne fotoemissie van elektronen vanuit 2-dimensionale halfgeleider heterostructuren

De voorgestelde doctoraatproject heeft als hoofddoelstelling om, aan de hand van interne fotoemissiespectroscopie, een analyze van energietoestanden van elektronen aan grensvlakken van 2-dimensionale halfgeleider materialen (b.v., MoS2, WS2, graphene) en heterostructuren uit te voeren. Dankzij het aanbrengen van een nanometer-dunne isolatorlaag tussen de onderzochte 2D-materiaal hetero-electrode en een homogene referentie-electrode (silicium of een metal) intenderen we de bepaling van de elektronenband energien en effective werkfunctieverschillen tussen nanometer-grote oppervlaktegebieden. Met behulp van deze methode kunnen we fundamentele problemem aanpakken zoals b v., de ontwikkeling van “band-staart” toestanden aan grensvlakken van 2-dimensionale en 3-dimensionale materialen, of vragen beantwoorden i.v.m. eigenschappen van elektronische ontwerpen zoals b. v., de aanpassing van de threshold spanning in 2D-transistoren.

Datum:30 aug 2017 →  24 sep 2020
Trefwoorden:Semiconductor, 2-dimensional materials
Disciplines:Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica
Project type:PhD project