< Terug naar vorige pagina

Publicatie

Study of the stability of e-mode GaN HEMTs with p-GaN gate based on combined DC and optical analysis

Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel

Tijdschrift: Microelectronics Reliability

ISSN: 0026-2714

Volume: 64

Pagina's: 547 - 551

Jaar van publicatie:2016

WoS Id: 000386401600103
Institutional Repository URL: https://lirias.kuleuven.be/1733193
DOI: https://doi.org/10.1016/j.microrel.2016.07.127