< Terug naar vorige pagina
Project
2 D FUN: realisatie van toekomstige MOSFET devices. (2 D FUN)
De ultra kleine afmetingen van grafeen en 2D-structuren in combinatie met zijn extreme gloeibaarheid en virtuele afwezigheid van oppervlaktedefecten, maakt deze materialen en hun heterostructuren ideaal voor de realisatie van toekomstige MOSFET devices.
Datum:1 jan 2016 → 31 dec 2018
Trefwoorden:2 D FUN
Disciplines:Fysica van gecondenseerde materie en nanofysica