< Terug naar vorige pagina
Publicatie
High-throughput screening of extrinsic point defect properties in Si and Ge : database and applications
Tijdschriftbijdrage - Tijdschriftartikel
Tijdschrift: CHEMISTRY OF MATERIALS
ISSN: 1520-5002
Issue: 3
Volume: 29
Pagina's: 975 - 984
BOF-keylabel:ja
IOF-keylabel:ja
BOF-publication weight:10
CSS-citation score:1
Auteurs:National
Authors from:Higher Education
Toegankelijkheid:Closed