< Terug naar vorige pagina
Publicatie
Impact of dopants and silicon structure dimensions on {113}-defect formation during 2 MeV electron irradiation in an UHVEM
Boekbijdrage - Boekhoofdstuk Conferentiebijdrage
Boek: Physica Status Solidi C-Current Topics in Solid State Physics
Volume: 12
Pagina's: 1160 - 1165